美光宣布 ，早已快速完成第四代3D NAND闪存的首次流片 ，应用了全重新替换栅极(RG)架构 ，并按计划在明年投入量产。
美光第四代3D闪存堆叠了总共128层 ，依然使用过阵列下CMOS设计方式思路 ，然而美光与Intel使用过多年的浮动栅极(floating gate)换竟成替换栅极(replacement gate) ，以缩小尺寸、降低成本、大幅大幅提高性能 ，同步升级到下一代制造工艺也更非常容易。
这样有一新架构是美光独自研发的 ，虽然能 Intel的渡过难关 ，两人早已越走越远。
然而 ，快速完成流片只只不过美光新闪存有一步尝试 ，美光还刚能 按计划将任何人这条产品中线转向RG架构 ，暂时完全更不能 带来什么真真正地正的成本降低。
截至目前 ，美光的首要完成任务是扩大96层3D闪存的产能 ，明年将其应用到各条产品中线。